第二百八十四章：出乎意料的國內商家(第1/3頁)

能順手給島國找點麻煩，韓元是絕對不會介意的。

單晶矽的冶煉，在目前的人類科技中，一般採用兩種方法。

一種是坩堝直拉法。

另一種是無坩堝懸浮區熔法。

而這兩種方法，都是島國極其擅長的，其科技水平都是世界頂尖。

最關鍵的是，兩種方法都需要單晶爐，這也是為什麼島國能將單晶爐賣的這麼貴的原因。

在這一塊，別說華國了，就是它爹米國都比不上。

畢竟單晶矽雖然重要，但對比起光刻機的關鍵技術來說，還是簡單不少的。

單晶矽的製備，只需要實現從多晶到單晶的轉變，即原子由液相的隨機排列直接轉變為有序陣列，由不對稱結構轉變為對稱結構就可以了。

難點在於固液介面移動的矽晶會出現析晶問題。

而一旦出現析晶現象，會導致表面的單晶矽迅速被氧化變成二氧化矽。

除此之外，直拉單晶矽的石英坩堝在經過高溫、冷卻等等步驟之後，會產生裂紋或者破裂，導致無法再次使用。

並且，由於拉單晶對於坩堝的潔淨度要求很高，所以使用過的坩堝無法保證潔淨度，同時單晶矽對於坩堝的品質要求較高。

所以在製備石英坩堝這一塊也是個難點。

不過這些東西，從今天起，都是過去式了。

你島國的單晶矽和單晶爐賣的再便宜，別人也不會再要了。

和單晶爐直拉法比起來，‘化學氣相沉積矽核心外延法’簡直有太多的優勢了。

製備成本更低，生產出來的單晶矽程度更高，生產步驟中不需要有專人盯著等等等等。

這種降維級別的打擊，就是這麼致命。

.......

將能夠處理的材料都進行基礎處理後，韓元又一次來到了無塵工作室。

不過和之前製備光刻機時不同，製備單晶矽要求的無塵環境要低好幾個檔次。

萬級的無塵車間就足夠了。

在化學實驗室初步處理過的基礎材料再度進行了深層次處理，韓元又檢查了一遍需要使用的儀器和材料。

確認所有的東西都準備就緒後，韓元拉過拍攝鏡頭，道：“‘化學氣相沉積矽核心外延法’一共有七個步驟。”

“第一步：提供可供預處理的基底。”

“第二步：清洗。”

“第三步：提供可供單晶矽外延生長的腔體，腔體內設有基底儲放裝置，並將基底放置於基底儲放裝置上。”

“第四步：向製備儀器腔體內通入還原性氣體，並將腔體內壓強和溫度調至製取時所需要的壓強和溫度。”

“第五步：向製備儀器腔體內通入氣態矽源，在基底表面生成預設厚度的犧牲層。”

“第六步：控制時間，讓單晶矽層在犧牲層上方形成。”

“第七步：將單晶矽層和犧牲層的連線體與基底分離。”

“七步程式，都可以使用計算機程式進行監控和控制，所以‘化學氣相沉積矽核心外延法’非常適合單晶矽的機械化批次生產。”

“所生產出來的單晶矽因為全程處於淨結的製備儀器中，其純度最高可達到99.9999999%。”

“相對於傳統的單晶爐生產單晶矽來說，使用這種方法更加簡單方便，更能節約成本。”

韓元話音落下，蹲守在他直播間裡面的各國人員頓時眼前一亮，開心起來。