需要以離子水為溶劑,然後按照一定的比例進行調配矽酸鎵鑭離子溶液。

然後將製備完成基板整體浸入調配的離子溶液中。

透過匯入一定電壓的電流的同時進行升高溫度。

離子溶液中的大分子矽酸鎵鑭金屬離子會附著在基板上。

但這還僅僅是附著,並沒有形成特殊的晶狀結構。

後面還需要在不同溫度以及不同的氣壓條件下進行退火、重鍍、水浴等處理。

整體步驟異常繁瑣,而且需要時刻注意反應過程中的溫度、氣壓等外部條件。

畢竟化學反應是所有反應中最複雜,也是突變型最高的。

除此之外,在處理光吸收層的同時,還需要在中途將p電層刻蝕上去。

這一步驟才是最坑的地方。

因為刻蝕p電層是沒有一個固定的時間節點的。

在處理特殊的晶狀結構的時候,有些基板可能一次流程走完就已經達到了標準。

但另外還有其他的基板可能走上三次、四次甚至五六次流程都不一定能達到標準。

所以在處理的過程中,每一次流程走完後,都需要對每一塊基板進行光學檢查。

確認特殊的晶狀結構形成後,就要將其分離開來進行下一步。

而沒有形成特殊晶狀結構的基板,需要進行重複處理,直到特殊晶狀結構在表面形成。

需要的處理過程次數是不定的。

有些倒黴的可能處理上十來次都不一定能讓特殊晶狀結構形成。

虛擬螢幕上,有專家傳送彈幕提問題。

讓基板一直呆在離子溶液中不斷重複處理可以確保特殊晶狀結構形成不可以嗎?

對此,韓元也只能搖頭表示這種方法不可行。

因為基板上的特殊晶狀結構只有在一到兩層的時候,才能發揮它的最大作用效果。

所以這也是在處理時,矽酸鎵鑭離子溶液的濃度必須使用離子水進行稀釋到一定程度的原因。

矽酸鎵鑭離子溶液的濃度在太高,會在基板上迅速且穩定的形成超過三層的特殊晶狀結構。

會導致整塊‘鑭化鎵矽薄膜太陽能薄膜發電板’的光電轉換率下跌。

而且下跌的幅度很高。

每多一層,其光電轉換率能下降接近百分之五左右。

這些東西,都是一個文明的科技積累。

就像愛迪生髮明電燈一樣,經歷了數千次的材料替換,最終才找到合適的材料。

化學氣相沉積比電燈材料的尋找可更加苛刻,因為氣相沉積的過程中,需要控制的因素更加多。

每一個因素條件的確定,都是無數次的實驗才最終定下來的。

所以即便是高一等級的文明,也無法保證說找到更加合適更加優秀的流程。

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附著、退火、重鍍、水浴等全部流程都走完兩遍,第一塊符合要求的基板才製備成功。

當第一塊基板處理完成的時候,時間已經過去了兩天多。

處理完成的基板鑭化鎵矽薄膜已經鍍上去並經過了光學檢查。