第一百八十三章：製備碳化矽電晶體(第2/2頁)
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然後用毛刷粘上融化後的石蠟在粗製的碳化矽晶材上刷上薄薄的一層。
等待晶材表面的石蠟冷卻凝固後，再用小刻刀將需要侵蝕的部分上的石蠟清理乾淨，露出裡面的碳化矽。
最後再刷上一層之前就製備好的氫氟酸，等待半個小時左右。
漫長的時間中，氫氟酸會將沒有石蠟保護部分的碳化矽中的矽分子腐蝕掉，方便後續鋁離子的嵌入以及極點的鑲嵌。
這種做法，是他理解原始電晶體以及積體電路製備方法後結合定下來的。
雖然他現在沒有光刻機，也暫時沒法制造整合晶體板。
但這並不代表他不能使用整合晶體的製造方式來製造碳化矽電晶體。
相對比原始電晶體，這種方式製備的碳化矽半導體電晶體體積更小，也更加穩定。
而且因為應用了積體電路的侵蝕鍍刻，在功率、響應效率和使用壽命上也更加強大。
如果說原始的電晶體需要五千顆才能達到每秒百萬次的運算量的話。
那這種碳化矽晶材加特殊手法制備的電晶體大概兩千多顆就夠了。
雖然數量上還是很龐大，但相對比電子管動輒百萬顆的數量來說，兩千顆電晶體已經很少了。
等待了三十分鐘，韓元將被侵蝕的差不多的碳化矽晶材用清水清晰乾淨，然後再重複幾次這個步驟。
氫氟酸雖然能侵蝕碳化矽，但需要多次重複侵蝕才能達到他的要求。
需要的時間自然就很漫長了。
耗費了一上午的時間，三十顆粗加工的碳化矽晶材才處理完成。
這些晶材依舊使用功能的不同，形狀不同，被侵蝕的部位也不同，而且需要侵蝕的程度也不同。
處理好這些碳化矽晶材後，韓元先弄了點午餐，吃完後就立刻回到了實驗室，並沒有按照以前的方式休息一會。
他現在想盡快完成這個二級任務。
回到化學實驗室，韓元從儲物間中取出來硫酸、硝酸等一些下午需要用材料。
“昨天我跟大家講過了，三電晶體一共有三層，每一層的物質組成結構和作用都不同。”
“上午我處理好的碳化矽晶材，就是一層，也是碳化矽電晶體的主體。”
“而現在，我要來給主體來新增另外兩層極點了。”
“這次我製備的電晶體，從功能上來說，屬於訊號放大電晶體。”
“所以我需要按照昨天講解的方式，給他添上n漂移層和p阱，來起到聚集電子和放大電訊號的作用。”
“至於材料，n漂移層和昨天講解一樣，用的是鋁，不過並非是簡單的用鋁包裹一層。”
“而是需要將鋁製備成鋁離子，然後注入到上午侵蝕出來的溝槽中，從而形成穩定的n漂移層。”
“所以我現在需要先將鋁離子製備出來。”
一邊講解，韓元一邊動手處理材料。
鋁離子的製備對已經掌握了初級化工應用知識資訊的他來說很簡單。
用硫酸鹽或者氯鹽在強氧化劑的保護下就可以製備出來。
而且製備出來的鋁離子含量還相當高，足夠他用來製造電晶體中的n漂移層了。