第435章 博浪那令人震撼的實力！(第1/4頁)

儘管博浪在國內的宣傳比較簡單，只是一些簡報和官網資訊更新，但好事者發覺後依舊引發了熱議。

無數臥槽刷屏網路空間。

哪怕網友們已經越來越習慣博浪的大手筆，哪怕對博浪最近的動靜已經有所準備，網友們仍然被驚到了。

因為從去年星海1橫空出世，在晶片上表現十分出色以來，國內各種自媒體沒少營銷晶圓廠、光刻機等等。

裡面間或有一些海外來客或者灣灣來客帶節奏。

所以，國內網友忽然對這一個遙遠的工業領域非常關注，並各個專業了。

有關話題下面，動不動甩出duv、euv這種英文縮寫，要麼就甩中文‘深紫外極紫外’。

再有就是甩出asl、臺積電，n、arf、浸入式、乾式。

也會甩一點相對更裝逼的東西，如工藝製程的排序標準，提到從11年開始興起的新型電晶體結構ffet(鰭式場效應電晶體以來，工藝製程的n數值開始籠統的以上代工藝x07得出。

提到現在吵得熱熱鬧鬧的20n不過是28n乘以07得來，而電晶體的最小間距並未縮小那麼多。

事實上從ffet技術興起之後，各類工藝製程標準逐漸以商業營銷導向為基礎再加上單位面積電晶體數來定義。

最典型的例子就是英特爾的14n+++從單位面積電晶體數、基礎尺寸等角度來看，跟臺積電、三星的7n差距非常微小。

因為ffet這種電晶體結構屬於3d化，最小間距的減少開始變得很緩慢，而3d化後電晶體數量仍然在激增，廠商如果單純沿用原有的摩爾定律縮小一半為工藝升級則顯現不出技術進步，於是以一種假設的二維尺寸縮小一半來定義，然後命名規則逐漸廠商化。

所以所謂摩爾定律會死一說，比較難。

哪怕是後來宣傳的3n、2n工藝，仍然只是5x07等於35≈3n，3x07等於21≈2n來命名。

實際上臺積電在7n時期最小金屬間距是40n，5n時期大概是36n，3n預計是30~32n這樣子，距離1n的物理極限還有不小的空間。

反正廠商營銷需要，與實際的科研極限是存在一些差距的。

綜上。

在這樣的背景下，星空半導體的官宣資訊更新讓國內網路也跟著熱鬧了起來，各種談論都有。

“博浪真是不動則已啊，動起來都是大事情，直接就上全國產裝置生產線了，800億那麼多，好哈人。”

“關鍵是這個星空半導體不缺使用者啊，以他們這個產能，一年才12億片晶片，供應星海系列都不夠！”

“是啊是啊，現在星海有手機、平板，不出意外的話今年一定會出電腦，再加上那個星河晶片，產能起碼要再擴大三四倍才夠自用，好牛。”

“不過只是45n，是不是有點落後了……不對，難怪神龍1是40n工藝，跟這裡等著呢！”

“據說海外已經吵翻天了，有海外網友認為星空半導體這是在挑釁那個什麼什麼協定，阿美莉卡肯定會加大管束的，光刻機可是最尖端的禁運裝置。”

比起國內無推波助瀾的熱議，海外網路確實吵翻天了。

因為那邊主要地區阿美莉卡等都是晚上。

而且range、xiaochengshu、推特等平臺帶節奏的自媒體太多了，把博浪想要挑釁的味道渲染到了一個頂峰。

好像下一秒，被管束限制的博浪就會立即突破封鎖，吊打矽谷，再創世界。

博浪在海外網路的核心圖謀可不僅僅只是商業目的，還有別的目的，以製造各種輿論衝突最終達到一定程度的洗腦為主。

所以，自然不考慮過猶不及一點。

那邊的討論更瘋狂。

畢竟有海量的海外網友，各種各樣的出發點，還包括灣灣那幫帶節奏的在不斷從對立面談論，形態愈來愈激烈。

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30號，週二。