第160章 要超越世界嗎？（求月票）(第2/2頁)

果然，很快他便收到了二次邀約，說不要聲張一起再去開會。

他對這個會的結果是有期待的，尤其是當江凡說出要做出可以和國際競爭的晶片時，他隱隱已經猜測是不是7奈米乃至5奈米，如果真的做到這一步，那將非常地了不起。

但當江凡真正亮出要做的東西並加以確認時，縱使是他這個和晶片打了一輩子交道的半導體教父元老都驚詫了。

跳過3奈米，直奔2奈米，普通人連設想都不敢這麼設想的，但人家卻已經把技術資料都擺在眼前了。

趕超，竟來的如此之快嗎？這可是自己一輩子都沒有完成的事啊。

張汝金心中有些激動，但他作為一個嚴謹的工程師，還是急切地想要看看裡面實際的內容。

在眾人期盼的目光中，江凡開啟了資料，他來之前已經找青年人要了微電子技術、微機電系統、積體電路設計等晶片相關2030年左右知識體系的知識貼片，所以講解起來也毫不費勁。

他做了整體概述性的講解，並對其中一些核心技術做了深度的一些解讀。

&nl（阿斯麥）的euv光刻機是世界上最牛的光刻機，其光源來自xymer，波長為13.5nm。

&n其實是從193nm多次反射得到的，簡單來說，就是用250w功率的二氧化碳鐳射去轟擊滴落下來的金屬錫液滴，連續轟擊兩次後，就能加熱並激發出euv等離子體，從而獲得波長更短的光。

這一過程每秒得要轟擊5萬個液滴，而一個金屬錫液滴就只有20微米大小，相當於從地球發出的手電筒光線要精準地射到一塊在月球上的硬幣一樣難。

而euv光刻機裡面的反光鏡，是由德國蔡司製造的，只反射13.5nm的光，一共有40層，每一層的外表都非常平整。

但由於euv的光很容易被空氣吸收，每一次反射都會損失掉30%的光強，一頓操作下來，最後就只剩下2%的光強，所以euv光刻機可以說是耗電猛獸。

euv光刻機除了耗電還很耗水，因為轟擊金屬錫液滴會釋放能量，所以每秒鐘得有4000升的水來進行冷卻，而廠房環境也很嚴格，每小時得要淨化30萬立方米的空氣。

就以上幾點，就可以感覺到造euv光刻機究竟有多難。

但江凡的技術資料裡卻對這一塊做了改進，透過把光源空間做成真空離子態，減少了過程中光源的損耗，一方面節約金屬錫等材料和耗電量，另一方面受離子態影響每一次可以一定程度降低光的波長，從而更快獲得更短波長的光，降低了難度的同時也獲得了更好的精度。

而在冷卻體系上也在水中加入了複合液體，使其冷卻效果更好，從而又提升了整體的效能。

所有人隨著江凡的講解都聽傻了，竟然還能有這麼精巧的設計，但一說出卻又都恍然大悟。

而且他們突然意識到，如果每一個模組都能達到這種水準的提升，那2奈米晶片，真的不是沒有可能。

專案本質上還沒開始，但在場眾人已經有種看到勝利曙光，要額手稱慶的衝動了，華夏高階晶片的春天，真的要來了嗎。

江凡擺手先平撫下已經有點喜不自勝的眾人，說明了一下整體的計劃和安排。

最後，他特別強調了保密原則，一方面是為了正在進行的談判，另一方面也是防止對手在這個過程中使絆子。

整體就是採取分段式的工作流程，核心的資料、資訊和計劃只掌握在少數可靠的人手裡，然後把任務分拆下去，每個部門或者人員做自己的。

他們都不可以看到全貌，或者他們都以為自己是在為開發12奈米晶片在做工作。

但最後他們所做的東西組裝起來，卻是可以完成2奈米高階晶片的所有裝置和工藝。

因為資料還有缺失，所以江凡把整個計劃分了2個階段，第一階段利用現有的資料先完成5奈米晶片的設計和製造，完成這個需要補全的技術資料比較少。

然後等把所有技術資料補全後，再完成2奈米晶片的設計製造。

因為後面銷售本身也是需要不同層次的產品差異定價，所以這兩塊產品都不會浪費。

講完這些，江凡看向眾人著重又強調了一遍：“保密工作一定要做好，尤其不能向名單裡有，但這次沒有來參加會議的那幾家企業洩露，你們能理解我的意思嗎？”

眾人聽到江凡這句話，已經隱隱猜到了什麼，都是重重點頭，這件事包括這個聯盟的意義他們很清楚。

如果因為自己的麻痺大意或者疏忽影響了整個事情的成敗，怕第二天就會有人敲門查水錶了。

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